Предложен метод определения действительной и мнимой частей показателя преломления n(λ) и κ(λ) тонких слоев в полупроводниковых гетероструктурах. Метод основан на измерении двух характерных углов на кривых отражения от образца, образованного подложкой с выращенной поверх нее гетероструктурой, для p-поляризованной волны. Первый характерный угол θ1представляет собой аналог угла Брюстера, второй угол θ2 соответствует точке перегиба кривой. Проведены измерения θ1 и θ2 для двух образцов, выращенных на подложках GaAs. Предложен и опробован алгоритм извлечения из измерений n(λ) и κ(λ) для слоев квантовых ям в гетероструктурах.
A method of determining the real and imaginary parts of the refractive index n(λ) and κ(λ) of thin layers in semi-conductor heterostructures is proposed. The method is based on the measurement of angles on the two characteristic curves of the reflection from the sample formed from the substrate heterostructure grown on top of it, for p-polarized wave. The first characteristic angle θ₁is an analogue of the Brewster angle, the second angle θ₂corresponds to the inflection point of the curve. Measurements of θ₁and θ₂are carried out for two samples grown on GaAs. An algorithm for extraction from measurements the n (λ) and the κ(λ) of the quantum wells layers in heterostructures is proposed and tested.
