Electrical parameters of si n-mosfet thz-detector: matching with external amplifier

Abstract

The influence of the external load resistance on voltage and current sensitivities of Si n-MOSFET THz detectors at radiation frequency ν=142 GHz is investigated. The noise level in the frequency band, which is needed for real-time imaging is specified. Investigated were transistors with the gate widths and lengths within 1×1 µm2 and 20×20 µm2. It is shown that internal resistance and external load resistance form the divider, the parameters of which are important for matching with read-out devices.

Исследуется влияние внешнего нагрузочного сопротивления на чувствительность ТГц детекторов на Si n-канальных МОП-транзисторах по напряжению и току при частоте излучения ν=142 ГГц. Описывается уровень шума в полосе частот , необходимый для отображения в реальном времени. Исследовались транзисторы с шириной и длиной затвора в пределах 1×1 µм2 и 20×20 µм2. Показано, что внутреннее сопротивление и внешнее нагрузочное сопротивление образуют делитель, параметры которого важны для согласования с устройствами считывания.