DSpace Repository

Electrical parameters of si n-mosfet thz-detector: matching with external amplifier

Show simple item record

dc.contributor.author Sizov, F. F.
dc.contributor.author Golenkov, O. G.
dc.contributor.author Reva, V. P.
dc.contributor.author But, D. B.
dc.date.accessioned 2014-12-11T18:55:38Z
dc.date.available 2014-12-11T18:55:38Z
dc.date.issued 2010
dc.identifier.citation Sizov F. F., Golenkov O. G., Reva V. P., But D. B. Electrical parameters of si n-mosfet thz-detector: matching with external amplifier // Вестник НГУ. Серия: Физика. – 2010. – Т. 5. – Вып. 4. – С. 59-62. – ISSN 1818-7994. ru_RU
dc.identifier.issn 1818-7994
dc.identifier.uri https://lib.nsu.ru/xmlui/handle/nsu/3824
dc.description.abstract The influence of the external load resistance on voltage and current sensitivities of Si n-MOSFET THz detectors at radiation frequency ν=142 GHz is investigated. The noise level in the frequency band, which is needed for real-time imaging is specified. Investigated were transistors with the gate widths and lengths within 1×1 µm2 and 20×20 µm2. It is shown that internal resistance and external load resistance form the divider, the parameters of which are important for matching with read-out devices. ru_RU
dc.description.abstract Исследуется влияние внешнего нагрузочного сопротивления на чувствительность ТГц детекторов на Si n-канальных МОП-транзисторах по напряжению и току при частоте излучения ν=142 ГГц. Описывается уровень шума в полосе частот , необходимый для отображения в реальном времени. Исследовались транзисторы с шириной и длиной затвора в пределах 1×1 µм2 и 20×20 µм2. Показано, что внутреннее сопротивление и внешнее нагрузочное сопротивление образуют делитель, параметры которого важны для согласования с устройствами считывания. ru_RU
dc.language.iso ru ru_RU
dc.publisher Новосибирский государственный университет ru_RU
dc.subject ТГц приемники ru_RU
dc.subject полевые транзисторы ru_RU
dc.subject согласующие усилители ru_RU
dc.title Electrical parameters of si n-mosfet thz-detector: matching with external amplifier ru_RU
dc.title.alternative Электрические параметры ТГц детекторов на кремниевых n-канальных МОП-транзисторах с внешним усилителем ru_RU
dc.type Article ru_RU


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account