DSpace Repository

Влияние стационарных скрещенных электрического и магнитного полей на фотогенерированные носители заряда в эпитаксиальных пленках кадмий-ртуть-теллур p-типа (обзор)

Show simple item record

dc.contributor.author Костюченко, В. Я.
dc.date.accessioned 2014-12-03T20:15:51Z
dc.date.available 2014-12-03T20:15:51Z
dc.date.issued 2010
dc.identifier.citation Костюченко В. Я. Влияние стационарных скрещенных электрического и магнитного полей на фотогенерированные носители заряда в эпитаксиальных пленках кадмий-ртуть-теллур p-типа (обзор) // Вестник НГУ. Серия: Физика. – 2010. – Т. 5. – Вып. 1. – С. 66-81. – ISSN 1818-7994. ru_RU
dc.identifier.issn 1818-7994
dc.identifier.uri https://lib.nsu.ru/xmlui/handle/nsu/3769
dc.description.abstract Характеристики фотоприемных устройств для инфракрасного диапазона, изготовленных на основе эпитаксиальных пленок кадмий – ртуть – теллур р-типа, во многом определяются рекомбинационно-диффузионными параметрами неосновных носителей заряда. Исследование поведения неравновесных носителей заряда в пленках, помещенных в стационарные скрещенные электрическое и магнитное поля, позволяет найти эти параметры. В настоящей работе проведен обзор литературы, посвященной изучению неравновесных свойств фотогенерированных носителей заряда методами фотомагнитного эффекта, фотопроводимости в магнитном поле для геометрии Фойгта и Фарадея. ru_RU
dc.description.abstract The main characteristics of infrared photodetectors on base of p-type mercury-cadmium-telluride epitaxial films are mainly governed by recombination and diffusion parameters of minor charge carriers. The investigation of excess charge carriers behavior in epitaxial films placed in stationary crossed electrical and magnetic fields is allows determining of this parameters. This paper reviews of such photoelecromagnetic methods for investigation of excess charge carriers’ recombination and diffusion properties as methods of photomagnetic effects and photoconductivity in magnetic fields for Voight and Faradey geometry. ru_RU
dc.language.iso ru ru_RU
dc.publisher Новосибирский государственный университет ru_RU
dc.subject узкозонные полупроводники ru_RU
dc.subject эпитаксиальные пленки ru_RU
dc.subject фотоэлектромагнитные методы ru_RU
dc.subject рекомбинационные параметры ru_RU
dc.title Влияние стационарных скрещенных электрического и магнитного полей на фотогенерированные носители заряда в эпитаксиальных пленках кадмий-ртуть-теллур p-типа (обзор) ru_RU
dc.title.alternative The impact of stationary crossed electrical and magnetic fields on excess charge carriers generated by radiation in p-type mercury-cadmium-telluride epitaxial films (review) ru_RU
dc.type Article ru_RU


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account