Ангармонизм фононов в кремнии: исследование методом спектроскопии комбинационного рассеяния света

Качко, А. С.; Ваховский, В. Н.; Володин, В. А.

dc.contributor.author	Качко, А. С.
dc.contributor.author	Ваховский, В. Н.
dc.contributor.author	Володин, В. А.
dc.date.accessioned	2014-12-03T20:10:33Z
dc.date.available	2014-12-03T20:10:33Z
dc.date.issued	2010
dc.identifier.citation	Качко А. С., Ваховский В. Н., Володин В. А. Ангармонизм фононов в кремнии: исследование методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Вестник НГУ. Серия: Физика. – 2010. – Т. 5. – Вып. 1. – С. 48-55. – ISSN 1818-7994.	ru_RU
dc.identifier.issn	1818-7994
dc.identifier.uri	https://lib.nsu.ru/xmlui/handle/nsu/3766
dc.description.abstract	Исследован ангармонизм фононов в кремнии, проявляющийся в зависимости частоты пика в спектре комбинационного рассеяния от температуры, в диапазоне от 80 до 900 K. Полученные данные позволят уточнить методику определения средних размеров кремниевых нанокристаллов из анализа спектров комбинационного рассеяния света в случае, если в процессе снятия спектра нанокристаллы находятся при температуре, отличной от комнатной.	ru_RU
dc.description.abstract	Anharmonicity of phonons in silicon manifesting in dependence of peak frequency in Raman spectrum versus temperature in range from 80 to 900 K was studied. The obtained data allow to improve method of definition of average sizes of silicon nanocrystals using Raman scattering data analysis, in the case of the not room temperature of nanocrystals during spectroscopic measurements.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.publisher	Новосибирский государственный университет	ru_RU
dc.subject	комбинационное рассеяние света	ru_RU
dc.subject	фононы	ru_RU
dc.subject	ангармонизм	ru_RU
dc.subject	кремний	ru_RU
dc.subject	нанокристаллы	ru_RU
dc.title	Ангармонизм фононов в кремнии: исследование методом спектроскопии комбинационного рассеяния света	ru_RU
dc.title.alternative	Anharmonicity of phonons in silicon: raman spectroscopy study	ru_RU
dc.type	Article	ru_RU