The article is devoted to formation of superconducting thin films on the single-crystal substrate where areas with different values of the critical current density are, that is needed for fabrication of superconducting devices. The method is based on an establishment of elastic mechanical stresses on the substrate crystal under the nanosecond focused pulsed laser irradiation. On the irradiated substrate the superconducting thin film having auxiliary elastic stresses not till the area is over the irradiated section of the substrate is grown. At the same time the critical film current density is suppressed for required values are used to fabricate Josephson junctions. Observations for a long time demonstrate superconducting transport film properties are not varied significantly during the maintenance.
Статья посвящена проблеме формирования на монокристаллической подложке сверхпроводящей тонкой пленки, имеющей области с различными значениями плотности критического тока, требуемыми для изготовления сверхпроводниковых приборов. Метод основан на создании в кристалле подложки полей упругих механических напряжений при облучении кристалла сфокусированным импульсным лазерным излучением наносекундной длительности. На облученной подложке выращивают сверхпроводящую тонкую пленку, в которой формируются дополнительные упругие напряжения только в области, расположенной над облученным участком подложки. При этом плотность критического тока пленки подавляется до требуемых значений, необходимых для изготовления джозефсоновских переходов. Длительные наблюдения показывают, что сверхпроводящие транспортные свойства пленок не подвергаются существенному изменению в процессе хранения.
