Роль реконструкционных состояний в формировании рельефа поверхности арсенида галлия при молекулярно-лучевой эпитаксии и вакуумном отжиге

Abstract

The peculiarities of morphological evolution during GaAs(001) molecular beam epitaxy are studied by RHEED and AFM methods. A clear correlation is established between surface superstructure and morphological evolution. Thermodynamic conditions are experimentally determined which provide the most perfect GaAs(001) epilayer surface. For the (2 × 4) surface reconstruction growth conditions are established which give rise to surface roughening. A new technique is proposed and tested to significantly increase the efficacy of surface smoothening procedure under As flux.

Методами ДБЭО и АСМ изучены особенности морфологических изменений, происходящих на поверхности GaAs(001) в процессе МЛЭ роста и вакуумного отжига. Выявлена связь сверхструктурного состояния поверхности с характером этих изменений. Установлены термодинамические условия эпитаксиального роста GaAs(001) с наиболее структурно-совершенной поверхностью. Определены характеристики процессов, вызывающих развитие рельефа при МЛЭ росте в условиях существования реконструкции (2 × 4). Предложена и апробирована новая методика, позволяющая значительно повысить эффективность процедуры выглаживания поверхности GaAs(001) отжигом в потоке мышьяка.