The physical parameters of various electronics devices are depended on the properties of semiconductor interface, in particular, surface morphology. The aim of our research was to investigate a influence of chemical treatment and a vacuum annealing of substrates with and without indium flux on the morphology of InAs (111)A surface. The growth of InAs layers by molecular-beam epitaxy was conducted after oxide layer desorption. The morphology of the surface was inspected by the atomic force microscopy method at each stage. It was shown that only the treatment of InAs (111)A surface by HCl in isopropyl alcohol solution allows to obtain smoother surface after thermal annealing in compare with other etches. The using of indium flux during the oxide deleting increases this effect. The oxide thermal desorption modes from InAs (111)A surface in vacuum and in indium flux are defined. The character of surface roughness change with increase of epitaxy layer thickness is determined.
Исследовались способы получения гладкой поверхности подложек InAs(111)A. Пластины обрабатывались в различных травильных средах с последующим вакуумным отжигом с использованием потока индия и без него. После удаления окисного слоя проводилось наращивание слоя InAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. На каждом этапе морфология поверхности контролировалась методом атомно-силовой микроскопии. Показано, что обработка в растворе HCl в изопропиловом спирте при последующем термическом отжиге позволяет получить более гладкую поверхность. Использование индия в процессе отжига усиливает этот эффект. Были определены режимы термодесорбции окисла с поверхности InAs(111)A в вакууме и в потоке индия, а также определен характер изменения шероховатости поверхности с увеличением толщины выращенного эпитаксиального слоя.
