The features of (2×4) (3×1(6)) superstructure transition on GaAs(100) surface realized during rapid change of arsenic flux density were studied using RHEED method. The time dependences of ISB RHEED were obtained during this transition. The measurement data were analyzed in the framework of JMAK (Johnson – Melh – Avrami – Kolmogorov) kinetic model. The complex (double-state) structure of the transition process has been detected. This process is realized through the intermediate disordered state with different reconstructions domains coexisting on the surface. Activation energies and rates of the phase transition are defined for each stage. The procedure for precise temperature determination for GaAs(001) surface is proposed. This procedure uses the features of (2×4) (3×1(6)) reconstruction transition kinetics.
Методом дифракции быстрых электронов на отражение (ДБЭО) изучались особенности сверхструктурного перехода (2 × 4) (3 × 1(6)) на поверхности GaAs(100) в условиях, вызванных резким изменением потока мышьяка. Получены зависимости интенсивности зеркального рефлекса картины ДБЭО от времени в процессе данного перехода. Результаты измерений проанализированы в рамках кинетической модели JMAK (Johnson – Melh – Avrami – Kolmogorov). Установлено, что процесс структурной перестройки является двухэтапным и осуществляется через промежуточное состояние разупорядоченния, при этом на поверхности сосуществуют домены с разными реконструкциями. Определены активационные энергии и скорости фазовых переходов для каждого из этапов. Предложена методика прецизионного определения температуры поверхности GaAs(001), использующая особенности кинетики реконструкционного перехода (2 × 4) (3 × 1(6)).
