Рожин, А. А.; Кочубей, С. А.; Рубцова, Н. Н.; Шамирзаев, Т. С.; Ковалёв, А. А.; Семягин, Б. Р.; Преображенский, В. В.; Путято, М. А.; Буганов, О. В.; Тихомиров, С. А.
(Новосибирский государственный университет, 2012)
Модификация ультрафиолетовым (УФ) излучением оптических свойств полупроводниковой гетероструктуры с квантовыми ямамиGaAs/AlGaAs исследована в диапазоне плотностей УФ энергии0–500 мДж/см2. Показано, что величина сигнала ...